Samsung‘un yarı iletken üretim sürecindeki son teknolojik gelişmeleri, endüstri içerisinde dikkat çekiyor. Özellikle 3nm ve 4nm üretim süreçlerinde müşteri çekme konusunda zorlanan şirket, bu engellere rağmen daha ileri teknolojiler üzerinde çalışmalarını sürdürüyor. Bu yıl içerisinde 3nm teknolojisi kullanılarak üretim yapmayı planlayan Samsung, aynı zamanda 2nm sürecinde kullanılacak olan yeni nesil kapı etrafı transistör (GAA) teknolojisini geliştiriyor. 2025 yılında bu teknolojinin seri üretimine başlaması bekleniyor.
GAA teknolojisi, transistör tasarımında bir yenilik olarak karşımıza çıkıyor ve akım akışını iyileştirerek performansı artırıyor. Samsung, bu teknolojiyi ilk olarak 3nm sürecinde kullanmış ve şu ana kadar sadece kendi Exynos işlemcilerinde bu teknolojiden faydalanmış. İlk nesil 3nm GAA çipi, 5nm çiplere kıyasla alan azaltma, performans artışı ve enerji verimliliği konularında önemli iyileştirmeler sunuyor.
Samsung şimdiye kadar ki en küçük çip için tarih verdi
İleriye dönük olarak, Samsung 2024 yılında ikinci nesil 3nm GAA teknolojisiyle üretime başlamayı hedefliyor. Bu teknolojinin, mevcut olanaklardan daha fazla ilerleme sağlaması bekleniyor. Samsung’un ana rakipleri olan TSMC ve Intel henüz GAA teknolojisini benimsemezken, her iki şirketin de yakın gelecekte 2nm süreçlerinde bu teknolojiyi kullanmaları öngörülüyor.
Bu arada, Samsung‘un ASUS tarafından dava edildiği bilgisi de gündemde yer alıyor. Ancak bu konu hakkında detaylı bilgi verilmediği için, teknoloji ve üretim süreçlerine odaklanmak daha yararlı olacaktır. Samsung, bu teknolojileri yaklaşan endüstri konferanslarında sergilemeyi planlıyor, böylece sektördeki yenilikçi yaklaşımlarını ve teknolojik liderliğini pekiştirmeyi amaçlıyor.
